三星达到DDR3大小，调用它的效率突破

三星本周宣布在更小，更高效的DRAM内存的演变突破。该公司已经生产出了第一个20纳米，的4Gbit DDR3内存。

如同所有的半导体技术中，晶体管越小，越能可以进入的形状因子。该电路更小，更便宜的是具有相同或什至更大的容量制造芯片。

DDR3的是用在台式机，笔记本电脑，超极本和平板电脑，其中三星表示“客户会看到一个显著节能”以及节约成本。

三星新推出的20纳米DRAM。（图为：三星）

“虽然我们不能代表[设备制造商]，我们相信客户会从所有权显著降低总成本中受益，”在一封电子邮件中回答计算机世界三星发言人说。

三星已经提供了新的DDR3芯片的一些厂商，并预计他们将在今年晚些时候推出的计算设备。

在过去的五年中，三星已今非昔比其DRAM晶体管的50纳米（2009年）到30nm（2010年），以25纳米（2011年）的20nm制程技术的今天。

虽然NAND闪存已经率先走向个位数纳米工艺的比赛（它已经在19纳米一段时间），DRAM电路果断更不易缩水。

NAND快闪记忆体模不同大小的。（图片提供：美光）

与DRAM存储器中，每个小区由一个电容器（其中的电荷被保持），并且被彼此连接的晶体管，而使用NAND快闪存储器中的每个小区仅具有一个晶体管。所以DRAM技术要求两个晶体管和电容器收缩。

三星表示，它能够完善其DRAM的设计和制造技术，并提出了一个“双修饰图案和原子层沉积。”

在微电路，例如DRAM或NAND闪存，密集的重复纳米结构是必需的。原子层沉积（ALD）是用于使用薄膜具有精确的均匀沉积的纳米结构的技术。双重图形，简单地说，就是为特征的数量加倍的方法。

三星表示，其修改的双重图形技术的一个里程碑。通过使用目前的光刻设备实现20nm的DDR3的生产，它已经建立了一个新的核心技术，为下一代10纳米级DRAM的生产。

三星还成功创建单元电容器的超薄介电层以前所未有的均匀性，从而导致更高的电池性能。

应用新工艺的创新，三星的新的4Gbit DDR3的20nm的提高了生产效率超过30％，比前面的25纳米DDR3的，超过两倍的30纳米级DDR3，该公司表示。

“还有我们新的20纳米4GB DDR3为基础的模块可以节省高达等效模块所消耗的能量的25％使用以前的25纳米制程技术制造，”三星表示。